Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя Full article
Journal |
Микроэлектроника
ISSN: 0544-1269 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Output data | Year: 2020, Volume: 49, Number: 3, Pages: 186-197 Pages count : 12 DOI: 10.31857/S0544126920020027 | ||||||
Authors |
|
||||||
Affiliations |
|
Cite:
Деревяшкин С.В.
, Соболева Е.А.
, Шелковников В.В.
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ
ArticleLinkType.ORIGINAL_TO_TRANSLATED:
Derevyashkin S.V.
, Soboleva E.A.
, Shelkovnikov V.V.
Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ
Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ
Identifiers:
Elibrary | 42636291 |
OpenAlex | W3020030353 |