Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя Научная публикация
Журнал |
Микроэлектроника
ISSN: 0544-1269 |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2020, Том: 49, Номер: 3, Страницы: 186-197 Страниц : 12 DOI: 10.31857/S0544126920020027 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Библиографическая ссылка:
Деревяшкин С.В.
, Соболева Е.А.
, Шелковников В.В.
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ
Переводная версия:
Derevyashkin S.V.
, Soboleva E.A.
, Shelkovnikov V.V.
Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ
Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ
Идентификаторы:
РИНЦ | 42636291 |
OpenAlex | W3020030353 |