Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении

Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении Full article

Journal

Микроэлектроника
ISSN: 0544-1269

Output data

Year: 2019, Volume: 48, Number: 1, Pages: 16-30 Pages count : 15 DOI: 10.1134/S0544126919010034

Authors

Derevyashkin Sergei Vladimirovich ^1,2 , Soboleva Elena Aleksandrovna ¹ , Shelkovnikov Vladimir Vladimirovich ^1,4 , Malyshev Anatoly I/ ³ , Korolkov Viсtor P. ³

Affiliations

1	Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН
2	Института лазерной физики СО РАН
3	Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук
4	Новосибирский государственный технический университет

Деревяшкин С.В. , Соболева Е.А. , Шелковников В.В. , Малышев А.И. , Корольков В.П.
Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении
Микроэлектроника. 2019. Т.48. №1. С.16-30. DOI: 10.1134/S0544126919010034 РИНЦ OpenAlex

Derevyashkin S.V. , Soboleva E.A. , Shelkovnikov V.V. , Malyshev A.I. , Korolkov V.P.
Masking Properties of Structures Based on a Triacrylamide Derivative of Polyfluorochalcone at Wet and Reactive Ion Etching
Russian Microelectronics. 2019. V.48. N1. P.13-27. DOI: 10.1134/S1063739719010037 Scopus РИНЦ OpenAlex

Elibrary:	36849103
OpenAlex:	W2914411627

DB	Citing
Elibrary	1