Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении

Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении Научная публикация

Журнал

Микроэлектроника
ISSN: 0544-1269

Вых. Данные

Год: 2019, Том: 48, Номер: 1, Страницы: 16-30 Страниц : 15 DOI: 10.1134/S0544126919010034

Авторы

Деревяшкин Сергей Владимирович ^1,2 , Соболева Елена Александровна ¹ , Шелковников Владимир Владимирович ^1,4 , Малышев Анатолий Иванович ³ , Корольков Виктор Павлович ³

Организации

1	Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН
2	Института лазерной физики СО РАН
3	Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук
4	Новосибирский государственный технический университет

Деревяшкин С.В. , Соболева Е.А. , Шелковников В.В. , Малышев А.И. , Корольков В.П.
Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении
Микроэлектроника. 2019. Т.48. №1. С.16-30. DOI: 10.1134/S0544126919010034 РИНЦ

Derevyashkin S.V. , Soboleva E.A. , Shelkovnikov V.V. , Malyshev A.I. , Korolkov V.P.
Masking Properties of Structures Based on a Triacrylamide Derivative of Polyfluorochalcone at Wet and Reactive Ion Etching
Russian Microelectronics. 2019. V.48. N1. P.13-27. DOI: 10.1134/S1063739719010037 Scopus РИНЦ

РИНЦ	36849103
OpenAlex	W2914411627