Masking Properties of Structures Based on a Triacrylamide Derivative of Polyfluorochalcone at Wet and Reactive Ion Etching Научная публикация
| Журнал | Russian Microelectronics ISSN: 1063-7397 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Вых. Данные | Год: 2019, Том: 48, Номер: 1, Страницы: 13-27 Страниц : 15 DOI: 10.1134/S1063739719010037 | ||||||||
| Авторы |  | ||||||||
| Организации | 
 | 
                            Реферат:
                            Abstract: The masking properties are studied for polymeric structures based on a triacrylamide derivative of polyfluorochalcone at wet etching in aqueous acidic (H2SO4, H3PO4) and alkaline (NaOH) environments, as well as at reactive ion etching (CF4). The kinetic curves are obtained and the etching rates inherent in the photoresists are estimated. A comparison with commercially available photoresists AZ4562 and SU-8 is performed. © 2019, Pleiades Publishing, Ltd.
                        
                    
                
                        Библиографическая ссылка:
                                Derevyashkin S.V.
    ,        Soboleva E.A.
    ,        Shelkovnikov V.V.
    ,        Malyshev A.I.
    ,        Korolkov V.P.
    
Masking Properties of Structures Based on a Triacrylamide Derivative of Polyfluorochalcone at Wet and Reactive Ion Etching
Russian Microelectronics. 2019. V.48. N1. P.13-27. DOI: 10.1134/S1063739719010037 Scopus РИНЦ OpenAlex
                                                                        Masking Properties of Structures Based on a Triacrylamide Derivative of Polyfluorochalcone at Wet and Reactive Ion Etching
Russian Microelectronics. 2019. V.48. N1. P.13-27. DOI: 10.1134/S1063739719010037 Scopus РИНЦ OpenAlex
                                Оригинальная:
                                        Деревяшкин С.В.
    ,        Соболева Е.А.
    ,        Шелковников В.В.
    ,        Малышев А.И.
    ,        Корольков В.П.
    
Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении
Микроэлектроника. 2019. Т.48. №1. С.16-30. DOI: 10.1134/S0544126919010034 РИНЦ OpenAlex
                                            
                    
                                            Маскирующие свойства структур на основе триакриламидного производного полифторхалкона при жидкостном и реактивном ионном травлении
Микроэлектроника. 2019. Т.48. №1. С.16-30. DOI: 10.1134/S0544126919010034 РИНЦ OpenAlex
                            Даты:
                            
                                                                    
                        
                    
                    | Опубликована в печати: | 1 янв. 2019 г. | 
| Опубликована online: | 22 апр. 2019 г. | 
                        Идентификаторы БД:
                            
                    
                    
                                            
                    
                                            
                    
                | Scopus: | 2-s2.0-85064834087 | 
| РИНЦ: | 38676748 | 
| OpenAlex: | W2942478679 |