Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя Научная публикация
| Журнал | Микроэлектроника ISSN: 0544-1269 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Вых. Данные | Год: 2020, Том: 49, Номер: 3, Страницы: 186-197 Страниц : 12 DOI: 10.31857/S0544126920020027 | ||||||
| Авторы |  | ||||||
| Организации | 
 | 
                        Библиографическая ссылка:
                                Деревяшкин С.В.
    ,        Соболева Е.А.
    ,        Шелковников В.В.
    
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ OpenAlex
                                                                        Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ OpenAlex
                                Переводная:
                                        Derevyashkin S.V.
    ,        Soboleva E.A.
    ,        Shelkovnikov V.V.
    
Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ OpenAlex
                                            
                    
                    
                    Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ OpenAlex
                        Идентификаторы БД:
                            
                    
                    
                                            | РИНЦ: | 42636291 | 
| OpenAlex: | W3020030353 | 
                            Цитирование в БД:
                                Пока нет цитирований