Sciact
  • EN
  • RU

Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя Научная публикация

Журнал Микроэлектроника
ISSN: 0544-1269
Вых. Данные Год: 2020, Том: 49, Номер: 3, Страницы: 186-197 Страниц : 12 DOI: 10.31857/S0544126920020027
Авторы Деревяшкин Сергей Владимирович 1,2 , Соболева Елена Александровна 1 , Шелковников Владимир Владимирович 1,3
Организации
1 Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова СО РАН
2 Института лазерной физики СО РАН
3 Новосибирский государственный технический университет
Библиографическая ссылка: Деревяшкин С.В. , Соболева Е.А. , Шелковников В.В.
Получение электропроводящих структур электрохимическим осаждением меди на подложках анодированного алюминия при использовании полифторхалконов в качестве фоторезистного слоя
Микроэлектроника. 2020. Т.49. №3. С.186-197. DOI: 10.31857/S0544126920020027 РИНЦ OpenAlex
Переводная: Derevyashkin S.V. , Soboleva E.A. , Shelkovnikov V.V.
Obtaining Electrically Conductive Structures by Electrochemical Deposition of Copper onto Substrates of Anodized Aluminum Using Polyfluorochalcones as a Photoresist Layer
Russian Microelectronics. 2020. V.49. N3. P.173-183. DOI: 10.1134/S106373972002002X Scopus РИНЦ OpenAlex
Идентификаторы БД:
РИНЦ: 42636291
OpenAlex: W3020030353
Цитирование в БД: Пока нет цитирований
Альметрики: